什么是赝晶或赝配HEMT？

问答题什么是赝晶或赝配HEMT？

因为In原子的晶格常量比Ga原子的大，因此GaInAs与GaAs或AlGaAs层之间存在着晶格不匹配的现象

1.问答题什么情况下器件的栅极通常要考虑采用蘑菇型即T型栅极？

栅长小于0.3um

2.问答题亚微米、深亚微米和纳米的具体范围是多少？

把0.35-0.8μm及以下称为亚微米级0.25um及其以下为深亚微米0.05um及其以下称为纳米级

3.问答题二维电子气是如何形成的？

当半导体表面上加一个与表面垂直的电场，在表面附近形成电子势阱，就会积累起大量的电子

4.问答题高电子迁移率晶体管（HEMT）速度高的主要原因是什么？

器件在晶体结构中存在着类似于气体的大量可高速迁移电子，即二维电子气。

5.问答题进一步提高MESFET性能的措施是什么？

改进有源层的导电能力

6.问答题为什么说栅长是MESFET的重要参数？

对MESFET的控制主要作用于栅极下面的区域

7.问答题MESFET的有源层是如何形成的？它的导电沟道是如何控制的？

8.问答题HBT的主要优点是什么？适于何种应用？

HBT具有很强的电流驱动能力；适用于模拟信号的功率放大和门阵列逻辑的输出缓冲电路设计。

9.问答题Si/SiGe材料系统的HBT工艺取得了哪些长足进步？

10.问答题目前，III/V族化合物构成的高速HBT可达到哪些性能？

它们的fT和fmax已分别超过150Ghz和200GHz