Si/SiGe材料系统的HBT工艺取得了哪些长足进步？

问答题Si/SiGe材料系统的HBT工艺取得了哪些长足进步？

1.问答题目前，III/V族化合物构成的高速HBT可达到哪些性能？

它们的fT和fmax已分别超过150Ghz和200GHz

2.问答题InP/InGaAsHBT具有什么特点？

高速度、低功耗

3.问答题为什么采用AlGaAs/GaAs异质结结构制造的双极型晶体管（HBT）具有好的性能？

异质结双极性晶体管的发射极效率主要由禁带宽度差决定，几乎不受掺杂比的限制

4.问答题为什么GaAs同质结双极型晶体管的性能很难达到或超过硅基BJT的性能？

它的空穴迁移率低于硅的空穴迁移率

5.问答题异质结有什么特点？它适宜于制作哪些器件？

量子效应，迁移率变大、奇异的二度空间特性、人造材料工程学
发光组件、镭射二极管、异质结构双极晶体管、高速电子迁移率晶体管

6.问答题什么是异质结？按照两种材料的导电类型不同，异质结可分为哪些类型？异质结形成的条件是什么？制造异质结的技术通常有哪些？

7.问答题超高频Si双极型晶体管的截止频率fT已达多少？

40GHz

8.问答题双极型晶体管的最高速度取决于哪些因素？

通过基区到集电极耗尽层的少数载流子的传输速度、主要器件电容、向寄生电容充放电的电流大小

9.问答题典型双极型硅工艺中的硅晶体管存在哪些问题？

10.问答题双极型硅工艺的特点是什么？有哪些主要应用？

高速度、高跨导、低噪声及阈值易控制低噪声高灵敏度放大器、微分电路、复接器、振荡器