集成电路技术综合练习章节练习(2019.04.25)

问答题
两管与非门有哪些缺点，四管及五管与非门的结构相对于两管与非门在哪些地方做了改善，并分析改善部分是如何工作的。四管和五管与非门对静态和动态有哪些方面的改进。
答案：两管与非门：输出高电平低，瞬时特性差。
四管与非门：输出采用图腾柱结构Q3--D，由于D是多子器件，他会使Tp...
问答题
离子注入法有哪些优点？
答案：掺杂的过程可通过调整杂质剂量及能量来精确控制杂质分布，可进行小剂量和极小深度的掺杂较低的工艺温度，故光刻胶可用作掩膜可供...
问答题
液态生长有什么优缺点？
答案：
最简单最廉价但其外延层的质量不高
问答题
简述硅单晶研磨清洗的重要性。
答案：硅片清洗的重要性：硅片表面层原子因垂直切片方向的化学键被破坏成为悬挂键，形成表面附近的自由力场，极易吸附各种杂质，如颗粒...
问答题
MOS管的哪些参数随温度变化？如何变化？
答案：
沟道中载流子的迁移率µ和阈值电压VT随温度，所以T升高gm降低。
阈值电压的绝对值同样是随着温度的升高而减小。
问答题
集成电路中的无源器件有哪些？
答案：
互联线、电阻、电容、电感、传输线等
问答题
离子注入后退火的作用是什么？
答案：
作用是激活注入的离子，恢复迁移率及其他材料参数。
问答题
什么是负光刻胶？
答案：
负光刻胶：胶的曝光区在显影中保留，未曝光区在显影中除去，负胶多由长链高分子有机物组成
问答题
集成电路中，有源器件是指哪些种类的晶体管？
答案：
BJT、HBT、PMOS、NMOS、MESFET、和HEMT
问答题
什么是赝晶或赝配HEMT？
答案：
因为In原子的晶格常量比Ga原子的大，因此GaInAs与GaAs或AlGaAs层之间存在着晶格不匹配的现象