半导体芯片制造工章节练习(2019.05.13)

来源：考试资料网

1.问答题一片硅片由0.3um厚的SiO₂薄膜覆盖。所需数据见下表，玻尔兹曼常数k=1.38×10^-23。（1）在1200℃下，采用H₂O氧化，使厚度增加0.5um需要多少时间？。（2）在1200℃下，采用干氧氧化，增加同样的厚度需要多少时间？

2.问答题说明影响氧化速率的因素。

参考答案：1）氧化剂分压因为平衡情况下，SiO₂中氧化剂的浓度C0=HPg，而抛物型速率常数B=2D

3.问答题集成电路制造中有哪几种常见的扩散工艺？各有什么优缺点？

参考答案：扩散工艺分类：按原始杂质源在室温下的相态分类，可分为固态源扩散，液态源扩散和气态源扩散。固态源扩散（1）.开管扩散...

4.问答题应力分为压应力和张应力，下图的形状是由于哪种应力产生的？请在图上标出应力的方向。如果要让上面的结构材料变得平整，要怎么做？

参考答案：张应力（张的时候产生的应力）与压应力（压的时候产生的应力）
在张应力作用下，薄膜会相对衬底进行...

5.填空题全定制、半定制版图设计中用到的单元库包含（）、（）、（）和（）。

参考答案：符号图；抽象图；线路图；版图

6.填空题在扩散之前在硅表面先沉积一层杂质，在整个过程中这层杂质作为扩散的杂质源，不再有新的杂质补充，这种扩散方式称为：（）

参考答案：恒定表面源扩散

7.问答题 下图为一个典型的离子注入系统。（1）给出1~6数字标识部分的名称，简述其作用。（2）阐述部件2的工作原理。

参考答案：1.离子源2.分析磁块3.加速器4.中性束闸5.x&y扫描板6.法拉第杯
1.离子源作用：产生注入用的离子原理...

8.问答题影响外延薄膜的生长速度的因素有哪些？

参考答案：1）温度高温区B区，生长速率对温度的变化不敏感，生长速率由气相质量输运控制，并且对反应室的几何形状和气流有很大的依赖性。...

9.判断题目前在半自动化和自动化的键合机上用的金丝或硅铝丝都是经生产厂家严格处理包装后销售，一般不能再退火，一经退火反而坏了性能。（）

10.填空题芯片焊接质量通常进行镜检和（）两项试验。