半导体芯片制造工章节练习(2019.06.25)

来源：考试资料网

1.填空题大容量可编程逻辑器件分为（）和（）。

参考答案：复杂可编程逻辑器件；现场可编程门阵列

2.问答题影响外延薄膜的生长速度的因素有哪些？

参考答案：1）温度高温区B区，生长速率对温度的变化不敏感，生长速率由气相质量输运控制，并且对反应室的几何形状和气流有很大的依赖性。...

3.填空题半导体材料的主要晶体结构有（）型、闪锌矿型、（）型。

参考答案：金刚石；纤锌矿

4.问答题说明SiO₂的结构和性质，并简述结晶型SiO₂和无定形SiO₂的区别。

参考答案：结晶形SiO₂——由Si-O四面体在空间规则排列构成每个顶角的O原子与两个...

5.问答题简述杂质在SiO₂的存在形式及如何调节SiO₂的物理性质。

参考答案：热氧化层中可能存在各种杂质，某些最常见的杂质是与水有关的化合物，其结构如图所示。如果氧化层在生长中有水存在，一种可能发生...

6.填空题离子注入是借其（）强行进入靶材料中的一个（）物理过程。

参考答案：动能；非平衡

7 外壳设计包括（）设计、热性能设计和结构设计三部分，而可靠性设计也包含在这三部分中间。

8.问答题物理气相淀积最基本的两种方法是什么？简述这两种方法制备薄膜的过程。

参考答案：物理气相淀积：蒸发Evaporation、溅射Sputtering热蒸发法：在真空条件下，加热蒸发源，使原子或分子从蒸发...

9.问答题简述RTP设备的工作原理，相对于传统高温炉管它有什么优势？

参考答案：RTP工艺是一类单片热处理工艺，其目的是通过缩短热处理时间和温度或只缩短热处理时间来获得最小的工艺热预算（Thermal...

10.问答题个投影曝光系统采用ArF光源，数值孔径为0.6，设k1=0.6，n=0.5，计算其理论分辨率和焦深。

分辨率：
焦深：