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采用CF4作为气体源对SiO2进行刻蚀,在进气中分别加入O2或H2对刻蚀速率有什么影响?随着O2或H2进气量的增加,对Si和SiO2刻蚀选择性怎样变化?为什么?
最新试题
描述曝光波长和图像分辨率之间的关系。
例出光刻的8个步骤,并对每一步做出简要解释。
解释铝已经被选择作为微芯片互连金属的原因。
定义刻蚀速率并描述它的计算公式。为什么希望有高的刻蚀速率?
例举并讨论引入铜金属化的五大优点。
定义刻蚀选择比。干法刻蚀的选择比是高还是低?高选择比意味着什么?
解释光刻胶选择比。要求的比例是高还是低?
例举离子注入设备的5个主要子系统。
解释发生刻蚀反应的化学机理和物理机理。
光学光刻中影响图像质量的两个重要参数是什么?