采用CF4作为气体源对SiO2进行刻蚀,在进气中分别加入O2或H2对刻蚀速率有什么影响?随着O2或H2进气量的增加,对Si和SiO2刻蚀选择性怎样变化?为什么?
下图为硅外延生长速度对H2中SiCL4摩尔分量的函数曲线,试分析曲线走势,并给出其变化的原因。
最新试题
描述曝光波长和图像分辨率之间的关系。
给出投影掩模板的定义。投影掩模板和光掩模板的区别是什么?
解释正性光刻和负性光刻的区别?为什么正胶是普遍使用的光刻胶?最常用的正胶是指哪些胶?
例举出两种光刻胶显影方法。例举出7种光刻胶显影参数。
刻蚀工艺有哪两种类型?简单描述各类刻蚀工艺。
例举并描出旋转涂胶的4个基本步骤。
光学光刻中影响图像质量的两个重要参数是什么?
例举并描述光刻中使用的两种曝光光源。
解释光刻胶显影。光刻胶显影的目的是什么?
解释发生刻蚀反应的化学机理和物理机理。