下图为硅外延生长速度对H2中SiCL4摩尔分量的函数曲线,试分析曲线走势,并给出其变化的原因。
下图是硅烷反应淀积多晶硅的过程,写出发生反应的方程式,并简述其中1~5各步的含义。
最新试题
描述电子回旋共振(ECR)。
刻蚀工艺有哪两种类型?简单描述各类刻蚀工艺。
描述曝光波长和图像分辨率之间的关系。
定义刻蚀速率并描述它的计算公式。为什么希望有高的刻蚀速率?
解释扫描投影光刻机是怎样工作的?扫描投影光刻机努力解决什么问题?
哪种化学气体经常用来刻蚀多晶硅?描述刻蚀多晶硅的三个步骤。
例举离子注入设备的5个主要子系统。
描述RF溅射系统。
什么是掺杂?例举四种常用的掺杂杂质并说明它们是n型还是p型?
例举并解释硅中固态杂质扩散的三个步骤。