解释离子束扩展和空间电荷中和。

哪种化学气体经常用来刻蚀多晶硅？描述刻蚀多晶硅的三个步骤。

在硅片制造中光刻胶的两种目的是什么？

定义刻蚀选择比。干法刻蚀的选择比是高还是低？高选择比意味着什么？

解释什么是暗场掩模板？

解释铝已经被选择作为微芯片互连金属的原因。

例举并描出旋转涂胶的4个基本步骤。

什么是硅化物？难熔金属硅化物在硅片制造业中重要的原因是什么？

例举出两种光刻胶显影方法。例举出7种光刻胶显影参数。

例举离子注入工艺和扩散工艺相比的优点和缺点。