半导体芯片制造工半导体制造技术章节练习(2020.03.15)

问答题
定义刻蚀速率并描述它的计算公式。为什么希望有高的刻蚀速率？
答案：
问答题
简述BOE（或BHF）刻蚀SiO2的原理。
答案：二氧化硅腐蚀最常见的湿法腐蚀工艺之一是在稀释的HF溶剂中进行的SiO₂湿法腐蚀法。常用腐蚀液配比是...
问答题
什么是薄膜？
答案：薄膜：指某一维尺寸远小于另外两维上的尺寸的固体物质。
好的台阶覆盖能力、高的深宽比填隙能力（>3：...
问答题
什么是溅射产额，其影响因素有哪些？简述这些因素对溅射产额产生的影响。
答案：溅射产额：影响因素：离子质量、离子能量、靶原子质量、靶的结晶性只有当入射离子的能量超过一定能量（溅射阈值）时，才能发生溅...
问答题
Si-SiO2界面电荷有哪几种？简述其来源及处理办法。
答案：可动离子电荷Q_m来源：主要来源于Na+等网络改变者。解决办法：为了降低Na+的玷污，可以在工艺过程...
问答题
一片硅片由0.3um厚的SiO2薄膜覆盖。所需数据见下表，玻尔兹曼常数k=1.38×10-23。（1）在1200℃下，采用H2O氧化，使厚度增加0.5um需要多少时间？。（2）在1200℃下，采用干氧氧化，增加同样的厚度需要多少时间？
答案：
问答题
什么是无源元件？例举出两个无源元件的例子。什么是有源元件？例举出两个有源元件的例子。
答案：无源元件：在不需要外加电源的条件下，就可以显示其特性的电子元件。这些元件无论如何和电源相连，都可以传输电流。如电阻，电容...
问答题
离子在靶内运动时，损失能量可分核阻滞和电子阻滞，解释什么是核阻滞、电子阻滞？两种阻滞本领与注入离子能量具有何关系？
答案：①碰撞注入离子与靶内原子核之间的相互碰撞。因注入离子与靶原子的质量一般为同一数量级，每次碰撞之后，注入离子都可能发生大角...
问答题
在光刻中，能够在增加分辨率的同时增加聚焦深度吗？为什么？
答案：不能！聚焦深度：在保持图形聚焦的前提下，沿着光路方向晶圆片移动的距离是聚焦深度——
，...
问答题
例举出7种先进封装技术。
答案：

首页

题库

网课

在线模考

桌面端

半导体芯片制造工半导体制造技术章节练习(2020.03.15)

定义刻蚀速率并描述它的计算公式。为什么希望有高的刻蚀速率？

简述BOE（或BHF）刻蚀SiO2的原理。

什么是薄膜？

什么是溅射产额，其影响因素有哪些？简述这些因素对溅射产额产生的影响。

Si-SiO2界面电荷有哪几种？简述其来源及处理办法。

一片硅片由0.3um厚的SiO2薄膜覆盖。所需数据见下表，玻尔兹曼常数k=1.38×10-23。（1）在1200℃下，采用H2O氧化，使厚度增加0.5um需要多少时间？。（2）在1200℃下，采用干氧氧化，增加同样的厚度需要多少时间？

什么是无源元件？例举出两个无源元件的例子。什么是有源元件？例举出两个有源元件的例子。

离子在靶内运动时，损失能量可分核阻滞和电子阻滞，解释什么是核阻滞、电子阻滞？两种阻滞本领与注入离子能量具有何关系？

在光刻中，能够在增加分辨率的同时增加聚焦深度吗？为什么？

例举出7种先进封装技术。