半导体物理章节练习(2020.05.18)

来源：考试资料网
1.问答题

电路如图所示，已知ui＝5sinωt（V），二极管导通电压UD＝0.7V。试画出ui与uO的波形，并标出幅值。
参考答案：

波形如解图

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2.问答题

证明非平衡载流子的寿命满足，并说明式中各项的物理意义。
参考答案：

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3.问答题

在图所示电路中，发光二极管导通电压UD＝1.5V，正向电流在5～15mA时才能正常工作。试问： 
（1）开关S在什么位置时发光二极管才能发光？
（2）R的取值范围是多少？
参考答案：

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4 对一定的半导体，其本征载流子浓度（）。

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5.问答题集成二极管中最常用的是哪两种，具体什么特点？
参考答案：①集成齐纳二极管：反向工作的BC短接二极管，没有寄生PNP效应，且储存时间最短，正向压降低；
②次表面齐纳管：单...
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6.问答题什么叫统计分布函数，费米分布和玻耳兹曼分布的函数形式有何区别？在怎样的条件下前者可以过渡到后者，为什么半导体中载流子分布可以用玻耳兹曼分布描述？
参考答案：统计分布函数描述的事热平衡状态下电子在允许的量子态如何分布的一个统计分布函数。
费米分布反映了Pauli不相容...
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7.问答题两性杂质和其它杂质有何异同？
参考答案：两性杂质是指在半导体中既可作施主又可作受主的杂质。如Ⅲ-Ⅴ族GaAs中掺Ⅳ族Si。如果Si替位Ⅲ族As，则Si为施主；如...
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8.问答题间接复合效应与陷阱效应有何异同？
参考答案：间接复合效应是指非平衡载流子通过位于禁带中特别是位于禁带中央的杂质或缺陷能级Et而逐渐消失的效应，Et的存在可能大大促进...
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9 下面说法正确的是（）

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10.问答题掺有浓度为每立方米为1022硼原子的硅材料，分别计算①300K；②600K时费米能级的位置及多子和少子浓度。
参考答案：

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