半导体芯片制造工章节练习(2020.06.07)

问答题
浸没式光刻机相对于传统的光刻机有何不同。
答案：根据瑞利判据：要提高分辨率，可以通过增大数值孔径NA来实现。传统曝光设备在镜头与硅片之间的介质是空气，空气的折射率是1；...
单项选择题
恒定表面源扩散的杂质分布在数学上称为什么分布？（）
A.高斯函数
B.余误差函数
C.指数函数
D.线性函数
单项选择题
介质隔离是以绝缘性能良好的电介质作为“隔离墙”来实现电路中各元器件间彼此电绝缘的一种隔离方法。常用的电介质是（）层。
A.多晶硅
B.氮化硅
C.二氧化硅
问答题
哪种化学气体经常用来刻蚀多晶硅？描述刻蚀多晶硅的三个步骤。
答案：多晶硅等离子刻蚀用的化学气体通常是氯气、溴气或二者混合气体。
刻蚀多晶硅的三步工艺：
1.预刻蚀，用于去...
单项选择题
二氧化硅在扩散时能对杂质起掩蔽作用进行（）扩散。
A.预
B.再
C.选择
问答题
常用溅射技术有哪几种，简述它们的工作原理和特点。
答案：直流溅射——惰性气体，如氩，送入低压下的溅射腔体，电压加在电极上产生等离子体。加负直流电压的的是...
问答题
解释正性光刻和负性光刻的区别？为什么正胶是普遍使用的光刻胶？最常用的正胶是指哪些胶？
答案：正性光刻把与掩膜版上相同的图形复制到硅片上，负性光刻把与掩膜版上图形相反的图形复制到硅片表面，这两种基本工艺的主要区别在...
问答题
例举并解释硅中固态杂质扩散的三个步骤。
答案：硅中固态杂质扩散的三个步骤：
（1）预淀积：表面的杂质浓度浓度最高，并随着深度的加大而减小，从而形成梯度。这种...
填空题
热分解化学气相淀积二氧化硅是利用（）化合物，经过热分解反应，在基片表面淀积二氧化硅。
答案：含有硅的化合物
问答题
光刻中采用步进扫描技术获得了什么好处？
答案：增大了曝光场，可以获得较大的芯片尺寸，一次曝光可以多曝光些芯片，它还具有在整个扫描过程调节聚焦的能力。