单项选择题二氧化硅在扩散时能对杂质起掩蔽作用进行()扩散。
A.预
B.再
C.选择
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1.单项选择题Ⅰ号液是()过氧化氢清洗液.
A.碱性
B.酸性
C.中性
2.单项选择题在温度相同的情况下,制备相同厚度的氧化层,分别用干氧,湿氧和水汽氧化,哪个需要的时间最长?()
A、干氧
B、湿氧
C、水汽氧化
D、不能确定哪个使用的时间长
3.单项选择题恒定表面源扩散的杂质分布在数学上称为什么分布?()
A.高斯函数
B.余误差函数
C.指数函数
D.线性函数
4.单项选择题从离子源引出的是:()
A、原子束
B、分子束
C、中子束
D、离子束
5.单项选择题离子注入层的杂质浓度主要取决于离子注入的()。
A.能量
B.剂量
6.单项选择题离子注入层的深度主要取决于离子注入的()。
A.能量
B.剂量
7.多项选择题硅外延片的应用包括()。
A.二极管和三极管
B.电力电子器件
C.大规模集成电路
D.超大规模集成电路
8.多项选择题硅外延生长工艺包括()。
A.衬底制备
B.原位HCl腐蚀
C.生长温度,生长压力,生长速度
D.尾气的处理
9.单项选择题位错的形成原因是()。
A.位错就是由弹性形变造成的
B.位错就是由重力造成的
C.位错就是由范性形变造成的
D.以上答案都不对
10.单项选择题下列晶体管结构中,在晶体管输出电流很大时常使用的是:()
A、单基极条图形
B、双基极条图形
C、基极和集电极引线孔都是马蹄形结构
D、梳状结构
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