A.多晶硅
B.氮化硅
C.二氧化硅
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C、中子束
D、离子束
A.能量
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A.能量
B.剂量
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D.超大规模集成电路
A.衬底制备
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C.生长温度,生长压力,生长速度
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A.位错就是由弹性形变造成的
B.位错就是由重力造成的
C.位错就是由范性形变造成的
D.以上答案都不对
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厚膜浆料属于牛顿流体,因此其粘度属于正常黏度。()
半导体芯片制造工艺对水质的要求一般.()
目前在半自动化和自动化的键合机上用的金丝或硅铝丝都是经生产厂家严格处理包装后销售,一般不能再退火,一经退火反而坏了性能。()
迁移率是反映半导体中载流子导电能力的重要参数。掺杂半导体的电导率一方面取决于掺杂的浓度,另一方面取决于迁移率的大小。同样的掺杂浓度,载流子的迁移率越大,材料的电导率就越高。()
门阵列的基本结构形式有两种:一种是晶体管阵列,一种是门阵列()
钯.银电阻的烧结分预烧结、烧结、降温冷却三个阶段。()
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