半导体芯片制造工半导体制造技术问答题每日一练(2018.11.06)

问答题
简述电子束光刻的光栅扫描方法和矢量扫描方法有何区别。
答案：在光栅扫描方法中，每一个像素必须被逐次扫描。这样，曝光时间几乎与图形无关，图形就是通过打开和关闭快门写出来的。而已经开发...
问答题
什么是离子分布的偏斜度和峭度，和标准高斯分布有什么区别？
答案：非对称性常用偏斜度γ（skewness）表示：γ为负值表明杂质分布在表面一侧的浓度增加，即x＜R...
问答题
写出菲克第一定律和第二定律的表达式，并解释其含义。
答案：费克第一定律：C杂质浓度；D扩散系数（单位为cm2/s）J材料净流量（单位时间内流过单位面积的原子个数）解释：如果在一个...
问答题
下图为硅外延生长速度对H2中SiCL4摩尔分量的函数曲线，试分析曲线走势，并给出其变化的原因。
答案：SiCL₄浓度较小，SiCL₄被氢还原析出硅原子的速度远小于被释放出来的硅原...
问答题
对RTP来说，很难在高温下处理大直径晶圆片而不在晶圆片边缘造成热塑应力引起的滑移。分析滑移产生的原因。如果温度上升速度加快后，滑移现象变得更为严重，这说明晶圆片表面上的辐射分布是怎样的？
答案：硅片热不均匀的因素三个因素造成硅片的热不均匀问题（硅片边缘温度比中心低）：
圆片边缘接收的热辐...