解释离子束扩展和空间电荷中和。

在硅片制造中光刻胶的两种目的是什么？

解释正性光刻和负性光刻的区别？为什么正胶是普遍使用的光刻胶？最常用的正胶是指哪些胶？

例出光刻的8个步骤，并对每一步做出简要解释。

定义刻蚀速率并描述它的计算公式。为什么希望有高的刻蚀速率？

解释发生刻蚀反应的化学机理和物理机理。

离子源的目的是什么？最常用的离子源是什么？

描述曝光波长和图像分辨率之间的关系。

描述化学机械平坦化工艺。

光刻中采用步进扫描技术获得了什么好处？