半导体芯片制造工半导体制造技术问答题每日一练(2019.07.24)

问答题
说明影响氧化速率的因素。
答案：1）氧化剂分压因为平衡情况下，SiO₂中氧化剂的浓度C0=HPg，而抛物型速率常数B=2D
问答题
简述几种常用的氧化方法及其特点。
答案：制备SiO2的方法有很多，热分解淀积、溅射、真空蒸发、阳极氧化法、化学气相淀积、热氧化法等。热生长法制备的SiO2质量好...
问答题
浸没式光刻机相对于传统的光刻机有何不同。
答案：根据瑞利判据：要提高分辨率，可以通过增大数值孔径NA来实现。传统曝光设备在镜头与硅片之间的介质是空气，空气的折射率是1；...
问答题
常用溅射技术有哪几种，简述它们的工作原理和特点。
答案：直流溅射——惰性气体，如氩，送入低压下的溅射腔体，电压加在电极上产生等离子体。加负直流电压的的是...
问答题
下图为硅外延生长速度对H2中SiCL4摩尔分量的函数曲线，试分析曲线走势，并给出其变化的原因。
答案：SiCL₄浓度较小，SiCL₄被氢还原析出硅原子的速度远小于被释放出来的硅原...