半导体芯片制造工半导体制造技术问答题每日一练(2019.07.22)

问答题
什么是扩散效应？什么是自掺杂效应？这两个效应使得衬底/外延界面杂质分布有怎样的变化？
答案：扩散效应是指衬底中的杂质与外延层中的杂质，在外延生长时互相扩散，引起衬底与外延层界面附近杂质浓度的缓慢变化。扩散效应对界...
问答题
简述电子束光刻的光栅扫描方法和矢量扫描方法有何区别。
答案：在光栅扫描方法中，每一个像素必须被逐次扫描。这样，曝光时间几乎与图形无关，图形就是通过打开和关闭快门写出来的。而已经开发...
问答题
Si-SiO2界面电荷有哪几种？简述其来源及处理办法。
答案：可动离子电荷Q_m来源：主要来源于Na+等网络改变者。解决办法：为了降低Na+的玷污，可以在工艺过程...
问答题
对于某种薄膜的CVD过程，淀积温度为900℃，质量传输系数hG=10cms-1，表面反应速率系数ks=1×107exp（-1.9eV/kT）cms-1。现有以下两种淀积系统可供选择（1）冷壁，石墨支座型；（2）热壁，堆放硅片型。应该选用哪种类型的淀积系统并简述理由。
答案：反应室类型热壁：反应室腔壁与硅片及支撑件同时加热。一般为电阻丝加热，可精确控制反应腔温度和均匀性。适合对温度控制要求苛刻...
问答题
下图为硅外延生长速度对H2中SiCL4摩尔分量的函数曲线，试分析曲线走势，并给出其变化的原因。
答案：SiCL₄浓度较小，SiCL₄被氢还原析出硅原子的速度远小于被释放出来的硅原...

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半导体芯片制造工半导体制造技术问答题每日一练(2019.07.22)

什么是扩散效应？什么是自掺杂效应？这两个效应使得衬底/外延界面杂质分布有怎样的变化？

简述电子束光刻的光栅扫描方法和矢量扫描方法有何区别。

Si-SiO2界面电荷有哪几种？简述其来源及处理办法。

下图为硅外延生长速度对H2中SiCL4摩尔分量的函数曲线，试分析曲线走势，并给出其变化的原因。