施主浓度ND=1016cm-3的N-Si中，光注入非平衡载流子浓度&Delt...

问答题 施主浓度N_D=10¹⁶cm^-3的N-Si中，光注入非平衡载流子浓度Δn=Δp=10¹⁴cm^-3，计算无光照和有光照时的电导率。已知

1.问答题某半导体材料的少子寿命τ=20μs，光照产生了非平衡载流子，试求光照突然停止10μs后，非平衡载流子将衰减到原来的百分之几？

2.问答题在一N-Ge样品中，过剩载流子浓度为10¹⁴cm^-3，空穴寿命100μs，计算该样品中空穴的复合率。

3.问答题 473K时硅的求本征硅的电阻率ρ_i。

4.问答题掺硼1.1×10¹⁶cm^-3和磷9×10¹⁵cm^-3的硅样品，计算室温下多子浓度和少子浓度。如果电子迁移率μ_n=1000cm²/v·s，空穴迁移率μ_p=360cm²/v·s，求电阻率。

5.问答题设电子和空穴的迁移率分别为1350cm²/V·S和500cm²/V·S，试计算本征硅在300K下的电导率。当掺入百万分之一的砷后，设杂质全部电离，计算其电导率，并将其与本征硅的电导率进行比较。

6.问答题室温下锗的本征电阻率为47Ω·cm，如果电子和空穴的迁移率分别为3900cm²/V·S和1900cm²/V·S，试求本征锗的载流子浓度。

7.问答题计算施主掺杂浓度ND=9×10¹⁵cm^-3及受主掺杂浓度NA=1.1×10¹⁶cm^-3的硅在室温下的电子浓度和空穴浓度以及费米能级的位置。

8.问答题计算施主浓度分别为10¹⁶、10¹⁸、10¹⁹cm^-3的硅在300K时的费米能级（以本征费米能级作为参考能级），对掺杂浓度相同的受主杂质进行同样的计算。

9.问答题简单解释费米能级和准费米能级，说明它们的主要区别。

10.问答题何谓少子寿命？何谓扩散长度？二者有何联系？