判断题有限表面源扩散与离子注入的杂质分布都满足高斯函数,两种掺杂工艺杂质最高浓度位置都在硅片表面。
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BiCMOS技术就是将()和()的优良性能集中在同一块集成电路器件中。BiCMOS综告了CMOS结构的低功耗、高集成度和TTL或ECL器件结构的高电流驱动能力。
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