某单色光LED在CIE1931-XYZ系统的坐标距E白点距离是20mm，而它...

问答题某单色光LED在CIE1931-XYZ系统的坐标距E白点距离是20mm，而它的主波长距E白点的距离是25mm，求该LED的色纯度。

1.问答题已知某单色光在CIE1931-RGB系统中的色度坐标r（λ）=0.4，g（λ）=0.4，b（λ）=0.2（三者之和等于1），求在CIE1931-XYZ系统的色度坐标x（λ）、y（λ）、z（λ）的值（结果均保留四位有效数字），并验证后三者之和是否也等于1？

2.问答题某大功率LED在环境温度25℃时，测得其正向电压降为3.2伏、正向电流为1.56安，工作结温75℃。若电光转换效率为30%，求其热阻是多少？

3.问答题某GaN发光二极管，温度变化系数k=-2mV/K。在结温50℃时它的正向电压降为3.40伏，当结温上升到80℃时其正向电压降是多少？

4.问答题在大功率单芯片LED封装时，芯片可以视为点光源，假如芯片位于硅胶半球透镜的圆心处O（x’，y’，z’），即坐标原点处。若封装球面的曲率半径R=3.5mm，求三个随机数l=1，m=1，n=2时，芯片发出的某个光子与球面的碰撞位置B的坐标（保留两位小数）。

5.问答题在直插式Φ8LED封装时，芯片可以视为点光源，芯片位于环氧树脂圆柱底面的坐标原点处O（x’，y’，z’），圆柱高度为5mm。求三个随机数l=1，m=2，n=1时，芯片发出的某个光子与圆柱面的碰撞位置C的坐标（保留两位小数）。

6.问答题 某Φ3直插式LED球面曲率半径为1.5mm，环氧树脂包封材料的折射率为1.5，空气折射率为1.0，芯片距离球面定点O的距离分别如表中所示，求芯片像的位置，填于表格中，并说明像的虚实等特征。

7.问答题系统电路板的厚度为1.5mm，用其双面敷铜制作发热电子元件的散热器。已知金属化过孔外径为7×10^-4mm，壁厚为1×10^-4mm，过孔数量为50个，敷铜材料的热导率为390W/m•K，求该散热器的热阻是多少？

8.问答题某大功率LED，其功率为5瓦，支架焊接点的温度为55℃，芯片到焊接点的总热阻7℃/W，试求该LED的结温是多少？

9.问答题直插0.06瓦小功率LED负极引脚焊点的温度为42.5℃，芯片到焊点的总热阻16℃/W，试求该LED的结温是多少？

10.问答题pn结温度升高对白光LED有什么影响？

（1）pn结温升，光衰增大，色温也产生变化；
（2）发光主波长漂移；
（3）影响蓝光对荧光粉的有效激发。