一块半导体材料，光照在材料中会产生非平衡载流子，其中非平衡载流子的寿命为τ。...

判断题一块半导体材料，光照在材料中会产生非平衡载流子，其中非平衡载流子的寿命为τ。若光照忽然停止，经过τ时间后，非平衡载流子全部消失。

1.判断题无论本征半导体还是杂质半导体，其电子浓度和空穴浓度的乘积为常数，由温度和禁带宽度决定。

2.判断题将Si掺杂入GaAs中，Si取代Ga则起施主杂质作用，若Si取代As则起受主杂质作用。

3.判断题费米分布函数适用于简并的电子系统，波耳兹曼分布函数适用于非简并的电子系统。

4.判断题在热力学温度零度时，能量比E_F小的量子态被电子占据的概率为100%，如果温度大于热力学温度零度时，能量比E_F小的量子态被电子占据的概率为小于50%。

5.判断题室温下，对于某n型半导体，其费米能级在其本征半导体的费米能级之下。

6.判断题砷化稼是直接能隙半导体，硅和锗是间接能隙半导体。

7.判断题与半导体相比，绝缘体的价带电子激发到导带所需要的能量比半导体的大。

8.单项选择题 对于掺杂的硅材料，其电阻率与掺杂浓度和温度的关系如图所示，其中，AB段电阻率随温度升高而下降的原因是（）

A. 杂质电离和电离杂质散射
B. 本征激发和晶格散射
C. 晶格散射
D. 本征激发

9.多项选择题由于载流子存在浓度梯度而产生的电流是（）电流，由于载流子在一定电场力的作用下而产生电流是（）电流

A.扩散
B.漂移
C.热运动

10.单项选择题 P型半导体发生强反型的条件（）

A.A
B.B
C.C
D.D