设计一个CMOS差分放大器电路，写出其对应的SPICE描述语句并作差模电流-电压特性分析。

试用电导率为102/（Ω·cm），厚1μm的材料设计1kΩ的电阻，设电阻宽1μm，求其长。

从天然硅中获得达到生产半导体器件所需纯度的SGS要经过（）等步骤。

图a中M1和M2为某CMOS工艺中的两个NMOS管，M1的W/L＝12μm/6μm，M2的W/L＝4μm/2μm，其它物理参数及偏置均相同。图b中给出了M1的漏极电流Id1随Vgs的变化曲线，请画出Id2的大致变化，并说明Id1和Id2有什么不同，并解释不同的主要原因。

什么是MOS器件的体效应？

说明MOS器件噪声的来源、成因及减小方法。

目前集成电路版图设计的主流工具有哪些？

20世纪上半叶对半导体产业量展做出贡献的4种不同产业主要是（）。

为提高CMOS集成电路的抗自锁能力，可在版图设计上采取哪些措施？

MOS场效应管（MOSFET）在20世纪70年代得到了广泛的接受，从那时起到现在一直是集成电路的主流晶体管。MOSFET有两类（）和（）。每种类型可由各自器件的多数载流子来区别。