PN结隔离所依据的基本原理是利用PN结正向偏置时的高阻性。

判断题PN结隔离所依据的基本原理是利用PN结正向偏置时的高阻性。

1.判断题集成电路制造工艺中隔离扩散的深度可以不超过外延层的厚度。

2.判断题满足双极晶体管的正常工作，需要晶体管的基区非常薄，小于少子的扩散长度才可，这样使扩散远远大于复合。

3.判断题制备光刻掩膜版，希望黑白区域间的过渡区越大越好。

4.判断题在紫外光曝光、X射线曝光、电子束曝光技术中可实现直写式曝光不需要掩模版的是X射线曝光技术。

5.判断题通常称在低阻衬底材料上生长高阻外延层的工艺为正向外延，反之称为反向外延。

6.判断题PSG高温回流需要的温度要比BPSG高。

7.判断题LPCVD多晶硅和氮化硅等薄膜易形成保形覆盖，在低温APCVD中，非保形覆盖一般比较常见。

8.判断题相同掺杂浓度下，多晶硅的电阻率比单晶硅的电阻率高得多。

9.判断题LPCVD系统中淀积速率是受表面反应控制的，APCVD系统中淀积速率受质量输运控制。

10.判断题实现对CVD淀积多晶硅掺杂主要有三种工艺：扩散、离子注入、原位掺杂。由于原位掺杂比较简单，所以被广泛采用。