简述热生长氧化层与沉积氧化层的区别。_考试资料网

网站首页考试题库模拟考场智能家居网课试题

大学试题

题库首页每日一练章节练习

问答题简述热生长氧化层与沉积氧化层的区别。

参考答案： ①结构及质量：热生长的比沉积的结构致密，质量好。
②成膜温度：热生长的比沉积的温度高。可在400℃获得沉积氧化...

点击查看完整答案

您可能感兴趣的试卷

你可能感兴趣的试题

1.问答题简述硅热氧化工艺中影响二氧化硅生长的因素。

参考答案：①氧化温度；
②氧化时间；
③掺杂效应：重掺杂的硅要比轻掺杂的氧化速率快
④硅片晶向：<1...

点击查看完整答案

2.问答题简述SiO₂在集成电路中的用途。

参考答案：①栅氧层：做MOS结构的电介质层（热生长）
②场氧层：限制带电载流子的场区隔离（热生长或沉积）
③保...

点击查看完整答案

3.填空题SiO₂-Si界面的杂质分凝：（）过程中，（）在两种材料中重新分布，（）吸引受主杂质（B）、排斥施主杂质（P、As）。

参考答案：高温；杂质；氧化硅

4.问答题简述掺氯氧化工艺。

参考答案：在氧化工艺中，通常在氧化系统中通入少量的HCl气体（浓度在3%以下）以改善SiO₂–S...

点击查看完整答案

5.问答题在实际的SiO₂–Si系统中，存在几种电荷？

参考答案：①可动电荷：指Na⁺、K⁺离子，来源于工艺中的化学试剂、器皿和各...

点击查看完整答案

6.问答题简述硅热氧化过程中有哪些阶段？

参考答案：第一阶段：反应速度决定氧化速度，主要因为氧分子、水分子充足，硅原子不足。
第二阶段：扩散速度决定氧化速度，主要...

点击查看完整答案

7.问答题简述什么是硅热氧化以及氧化的工艺目的、氧化方式及其化学反应式。

参考答案：硅热氧化是氧分子或水分子在高温下与硅发生化学反应，并在硅片表面生长氧化硅的过程。
氧化的工艺目的：在硅片上生长...

点击查看完整答案

8.填空题不同（）的硅片，它的化学、电学、和机械性质都（），这会影响最终的（）。例如（），界面态等。

参考答案：晶向；不同；器件性能；迁移率

9.问答题简述区熔法（FZ法）的特点与优缺点。

参考答案：

区熔法（FZ法）的特点使用掺杂好的多晶硅棒；
优点是纯度高、含氧量低；
缺点是硅片直径比直拉的小。

10.问答题简述集成电路制造步骤。

参考答案：①Wafer preparation（硅片准备）
②Wafer fabrication（硅...

点击查看完整答案