简述什么是硅热氧化以及氧化的工艺目的、氧化方式及其化学反应式。

问答题简述什么是硅热氧化以及氧化的工艺目的、氧化方式及其化学反应式。

1.填空题不同（）的硅片，它的化学、电学、和机械性质都（），这会影响最终的（）。例如（），界面态等。

2.问答题简述区熔法（FZ法）的特点与优缺点。

区熔法（FZ法）的特点使用掺杂好的多晶硅棒；
优点是纯度高、含氧量低；
缺点是硅片直径比直拉的小。

3.问答题简述集成电路制造步骤。

4.判断题PN结隔离所依据的基本原理是利用PN结正向偏置时的高阻性。

5.判断题集成电路制造工艺中隔离扩散的深度可以不超过外延层的厚度。

6.判断题满足双极晶体管的正常工作，需要晶体管的基区非常薄，小于少子的扩散长度才可，这样使扩散远远大于复合。

7.判断题制备光刻掩膜版，希望黑白区域间的过渡区越大越好。

8.判断题在紫外光曝光、X射线曝光、电子束曝光技术中可实现直写式曝光不需要掩模版的是X射线曝光技术。

9.判断题通常称在低阻衬底材料上生长高阻外延层的工艺为正向外延，反之称为反向外延。

10.判断题PSG高温回流需要的温度要比BPSG高。