简述掺氯氧化工艺。

问答题简述掺氯氧化工艺。

1.问答题在实际的SiO₂–Si系统中，存在几种电荷？

2.问答题简述硅热氧化过程中有哪些阶段？

3.问答题简述什么是硅热氧化以及氧化的工艺目的、氧化方式及其化学反应式。

4.填空题不同（）的硅片，它的化学、电学、和机械性质都（），这会影响最终的（）。例如（），界面态等。

5.问答题简述区熔法（FZ法）的特点与优缺点。

区熔法（FZ法）的特点使用掺杂好的多晶硅棒；
优点是纯度高、含氧量低；
缺点是硅片直径比直拉的小。

6.问答题简述集成电路制造步骤。

7.判断题PN结隔离所依据的基本原理是利用PN结正向偏置时的高阻性。

8.判断题集成电路制造工艺中隔离扩散的深度可以不超过外延层的厚度。

9.判断题满足双极晶体管的正常工作，需要晶体管的基区非常薄，小于少子的扩散长度才可，这样使扩散远远大于复合。

10.判断题制备光刻掩膜版，希望黑白区域间的过渡区越大越好。