简述硅热氧化工艺中影响二氧化硅生长的因素。

问答题简述硅热氧化工艺中影响二氧化硅生长的因素。

1.问答题简述SiO₂在集成电路中的用途。

2.填空题SiO₂-Si界面的杂质分凝：（）过程中，（）在两种材料中重新分布，（）吸引受主杂质（B）、排斥施主杂质（P、As）。

3.问答题简述掺氯氧化工艺。

4.问答题在实际的SiO₂–Si系统中，存在几种电荷？

5.问答题简述硅热氧化过程中有哪些阶段？

6.问答题简述什么是硅热氧化以及氧化的工艺目的、氧化方式及其化学反应式。

7.填空题不同（）的硅片，它的化学、电学、和机械性质都（），这会影响最终的（）。例如（），界面态等。

8.问答题简述区熔法（FZ法）的特点与优缺点。

区熔法（FZ法）的特点使用掺杂好的多晶硅棒；
优点是纯度高、含氧量低；
缺点是硅片直径比直拉的小。

9.问答题简述集成电路制造步骤。

10.判断题PN结隔离所依据的基本原理是利用PN结正向偏置时的高阻性。