写出分辨率（R）公式及简述提高分辨率的方法。_考试资料网

网站首页考试题库模拟考场智能家居网课试题

大学试题

题库首页每日一练章节练习

问答题写出分辨率（R）公式及简述提高分辨率的方法。

参考答案： 分辨率是将硅片上两个相邻的关键尺寸图形区分开的能力。分辨率是光刻中一个重要的性能指标。

k为工艺因...

点击查看完整答案

您可能感兴趣的试卷

你可能感兴趣的试题

1.问答题写出数值孔径（NA）公式。

参考答案：

2.问答题简述正胶和负胶区别。

参考答案：

正胶：曝光的部分易溶解，占主导地位；
负胶：曝光的部分不易溶解。负胶的粘附性和抗刻蚀性能好，但分辨率低。

3.问答题简述什么是光刻胶、光刻胶的用途、光刻对光刻胶的要求。

参考答案：光刻胶是一种有机化合物，它受紫外线曝光后在显影液中的溶解度发生显著变化，而未曝光的部分在显影液中几乎不溶解。
光...

点击查看完整答案

4.问答题简述光刻工艺的8个基本步骤。

参考答案：

①气相成底膜；
②旋转涂胶；
③软烘；
④对准和曝光；
⑤曝光后烘培（PEB）；
⑥显影；
⑦坚膜烘培；
⑧显影检查。

5.问答题简述部分离子注入工艺的作用。

参考答案：①深埋层注入：高能（大于200KEV）离子注入，深埋层的作用：减小衬底横向寄生电阻，控制CMOS的闩锁效应。
...

点击查看完整答案

6.问答题简述在先进的CMOS工艺中，离子注入的应用。

参考答案：①深埋层注入；
②倒掺杂阱注入；
③穿通阻挡层注入；
④阈值电压调整注入；
⑤轻...

点击查看完整答案

7.问答题简述离子注入退火目的与方法。

参考答案：工艺目的：消除晶格损伤，并且使注入的杂质转入替位位置从而实现电激活。
①高温热退火
通常的退火温度：...

点击查看完整答案

8.问答题简述离子注入效应。

参考答案：沟道效应：当注入离子未与硅原子碰撞减速，而是穿透了晶格间隙时就发生了沟道效应。
控制沟道效应的方法：①倾斜硅片...

点击查看完整答案

9.问答题简述离子注入工艺相对于热扩散工艺的优缺点。

参考答案：优点：①精确地控制掺杂浓度和掺杂深度；
②可以获得任意的杂质浓度分布；
③杂质浓度均匀性、重复性好；...

点击查看完整答案

10.名词解释结深

参考答案：杂质扩散浓度分布曲线与衬底掺杂浓度曲线交点的位置称为结深。