利用2μm×6μm的多晶硅栅极覆盖在4μm×12μm薄氧化层的正中间构成一个MOS管，已知Cox＝5×10-4pF/μm2，估算栅极电容。

设计一个CMOS差分放大器电路，写出其对应的SPICE描述语句并作差模电流-电压特性分析。

集成电容主要有几种结构？

规定版图几何设计规则的意义是什么？

在图中，若所有的晶体管都工作在饱和区，求M4的漏电流。

什么是MOS器件的体效应？

把半导体级硅的多晶硅块，转换成一块大的单晶硅的过程，称作（）。生长后的单晶硅被称为（）。

根据图，给出M2管的漏极电流表达式。

试用电导率为102/（Ω·cm），厚1μm的材料设计1kΩ的电阻，设电阻宽1μm，求其长。

比较砷化镓和磷化铟等衬底与硅衬底上的电感等效电路，试分析两者存在差异的原因。