问答题
说明扩散杂质的余误差函数分布特点(恒定表面源扩散属于此分布)
您可能感兴趣的试卷
你可能感兴趣的试题
1.问答题杂质在硅中有哪些扩散机制?
2.问答题简述热生长氧化层与沉积氧化层的区别。
4.问答题简述SiO2在集成电路中的用途。
6.问答题简述掺氯氧化工艺。
8.问答题简述硅热氧化过程中有哪些阶段?
最新试题
试用电导率为102/(Ω·cm),厚1μm的材料设计1kΩ的电阻,设电阻宽1μm,求其长。
题型:问答题
试述两种传输线电感,比较其优缺点。
题型:问答题
根据图,给出M2管的漏极电流表达式。
题型:问答题
集成电路电阻可以通过()产生。
题型:多项选择题
图a中M1和M2为某CMOS工艺中的两个NMOS管,M1的W/L=12μm/6μm,M2的W/L=4μm/2μm,其它物理参数及偏置均相同。图b中给出了M1的漏极电流Id1随Vgs的变化曲线,请画出Id2的大致变化,并说明Id1和Id2有什么不同,并解释不同的主要原因。
题型:问答题
由硅片生产的半导体产品,又被称为()。
题型:多项选择题
晶体管的名字取自于()和()两词。
题型:多项选择题
BiCMOS技术就是将()和()的优良性能集中在同一块集成电路器件中。BiCMOS综告了CMOS结构的低功耗、高集成度和TTL或ECL器件结构的高电流驱动能力。
题型:多项选择题
说明MOS器件噪声的来源、成因及减小方法。
题型:问答题
目前集成电路版图设计的主流工具有哪些?
题型:问答题