从设计的观点出发，版图设计规则应包括哪些部分？

为提高CMOS集成电路的抗自锁能力，可在版图设计上采取哪些措施？

图a中M1和M2为某CMOS工艺中的两个NMOS管，M1的W/L＝12μm/6μm，M2的W/L＝4μm/2μm，其它物理参数及偏置均相同。图b中给出了M1的漏极电流Id1随Vgs的变化曲线，请画出Id2的大致变化，并说明Id1和Id2有什么不同，并解释不同的主要原因。

试用电导率为102/（Ω·cm），厚1μm的材料设计1kΩ的电阻，设电阻宽1μm，求其长。

在图中，若所有的晶体管都工作在饱和区，画出Vx从一个大的正值下降时Ix的草图。

硅半导体工艺中的绝缘材料主要来源于硅自身产生的（）材料等。

在图中，若所有的晶体管都工作在饱和区，求M4的漏电流。

20世纪上半叶对半导体产业量展做出贡献的4种不同产业主要是（）。

由于衬底材料的缘故会自动产生电容，这种电容称为（）。

什么是电阻率？它的单位是什么（国际标准单位制）？