简述什么是光刻胶、光刻胶的用途、光刻对光刻胶的要求。_考试资料网

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问答题简述什么是光刻胶、光刻胶的用途、光刻对光刻胶的要求。

参考答案： 光刻胶是一种有机化合物，它受紫外线曝光后在显影液中的溶解度发生显著变化，而未曝光的部分在显影液中几乎不溶解。
光...

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1.问答题简述光刻工艺的8个基本步骤。

参考答案：

①气相成底膜；
②旋转涂胶；
③软烘；
④对准和曝光；
⑤曝光后烘培（PEB）；
⑥显影；
⑦坚膜烘培；
⑧显影检查。

2.问答题简述部分离子注入工艺的作用。

参考答案：①深埋层注入：高能（大于200KEV）离子注入，深埋层的作用：减小衬底横向寄生电阻，控制CMOS的闩锁效应。
...

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3.问答题简述在先进的CMOS工艺中，离子注入的应用。

参考答案：①深埋层注入；
②倒掺杂阱注入；
③穿通阻挡层注入；
④阈值电压调整注入；
⑤轻...

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4.问答题简述离子注入退火目的与方法。

参考答案：工艺目的：消除晶格损伤，并且使注入的杂质转入替位位置从而实现电激活。
①高温热退火
通常的退火温度：...

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5.问答题简述离子注入效应。

参考答案：沟道效应：当注入离子未与硅原子碰撞减速，而是穿透了晶格间隙时就发生了沟道效应。
控制沟道效应的方法：①倾斜硅片...

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6.问答题简述离子注入工艺相对于热扩散工艺的优缺点。

参考答案：优点：①精确地控制掺杂浓度和掺杂深度；
②可以获得任意的杂质浓度分布；
③杂质浓度均匀性、重复性好；...

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7.名词解释结深

参考答案：杂质扩散浓度分布曲线与衬底掺杂浓度曲线交点的位置称为结深。

8.问答题 说明扩散杂质的高斯分布特点（有限源扩散属于此分布）

参考答案：

①在整个扩散过程中，杂质总量保持不变；
②扩散时间越长，扩散温度越高，则杂质扩散得越深，表面浓度越低；
③表面杂质浓度可控。

9.问答题 说明扩散杂质的余误差函数分布特点（恒定表面源扩散属于此分布）

参考答案：①杂质表面浓度由该种杂质在扩散温度下的固溶度所决定。当扩散温度不变时，表面杂质浓度维持不变；
②扩散时间越长，...

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10.问答题杂质在硅中有哪些扩散机制？

参考答案：

①间隙式扩散；
②替位式扩散。