什么是MOS器件的体效应？

根据图，给出M2管的漏极电流表达式。

20世纪上半叶对半导体产业量展做出贡献的4种不同产业主要是（）。

由于衬底材料的缘故会自动产生电容，这种电容称为（）。

图a中M1和M2为某CMOS工艺中的两个NMOS管，M1的W/L＝12μm/6μm，M2的W/L＝4μm/2μm，其它物理参数及偏置均相同。图b中给出了M1的漏极电流Id1随Vgs的变化曲线，请画出Id2的大致变化，并说明Id1和Id2有什么不同，并解释不同的主要原因。

利用2μm×6μm的多晶硅栅极覆盖在4μm×12μm薄氧化层的正中间构成一个MOS管，已知Cox＝5×10-4pF/μm2，估算栅极电容。

目前集成电路版图设计的主流工具有哪些？

半导体工艺技术中，器件互连材料通常包括（）等。

版图设计的基本前提是什么？

在晶体材料中，对于长程有序的原子模式最基本的实体就是（）。