P型衬底的MOS管的伏安特性曲线可以分为可调电阻区，饱和区和击穿区。

MOS管的伏安特性曲线含义是漏源电压与漏源电流之间的关系曲线。

实际的MOS管，绝缘层相当于一个电阻无限大的绝缘体，其中没有任何杂质和缺陷。

栅极材料与半导体材料的功函数差会因半导体材料的掺杂浓度变化而变化。

处于饱和工作区的n沟耗尽型MOS管，漏极将失去对沟道电流的控制能力。

晶体管正常使用过程中，处于正偏的PN结是（）结，处于反偏的PN结是（）结。

MOS管可以分为4类型，其中p沟增强型MOS的载流子主要是电子。

P沟增强型MOS管存在着一个栅极截止电压。

n沟耗尽型MOS型场效应晶体管的阈值电压一定大于相应的n沟增强型MOS管的阈值电压。

1947年，（）等人制造了第一个晶体管。