p型衬底材料的MOS管，其半导体的掺杂浓度增大，阈值电压随之增大。

MOS型场效应晶体管的阈值电压与衬底材料的掺杂浓度是有关的。

“合金型晶体管”，“平面型晶体管”和“外延型晶体管”这三种晶体管中，目前生产最主要的一种是（）。

P沟增强型MOS管存在着一个栅极截止电压。

P型衬底的MOS管的伏安特性曲线可以分为可调电阻区，饱和区和击穿区。

MOS管可以分为4类型，其中p沟增强型MOS的载流子主要是电子。

MOS管的转移特性曲线指的是漏源电压与漏源电流之间的关系曲线。

n沟耗尽型MOS型场效应晶体管的阈值电压一定大于相应的n沟增强型MOS管的阈值电压。

栅极材料和半导体衬底材料的功函数差会影响MOS管的阈值电压。

MOS管阈值电压的单位是eV。