问答题例举离子注入工艺和扩散工艺相比的优点和缺点。
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MOS管的阈值电压是漏源之间的导电沟道出现强反型时的最小栅极电压,即半导体的表面势大于费米势时的栅极电压。
题型:判断题
晶体管正常使用过程中,处于正偏的PN结是()结,处于反偏的PN结是()结。
题型:填空题
P沟增强型MOS管存在着一个栅极截止电压。
题型:判断题
n沟耗尽型MOS型场效应晶体管的阈值电压一定大于相应的n沟增强型MOS管的阈值电压。
题型:判断题
p型衬底材料的MOS管,其半导体的掺杂浓度增大,阈值电压随之增大。
题型:判断题
处于饱和工作区的n沟耗尽型MOS管,漏极将失去对沟道电流的控制能力。
题型:判断题
半导体的主要特征有()()()和()。
题型:填空题
晶体管的全部应用模式中,共有()种放大倍数。
题型:填空题
MOS管阈值电压的单位是eV。
题型:判断题
栅极材料和半导体衬底材料的功函数差会影响MOS管的阈值电压。
题型:判断题