填空题半导体材料有两种载流子参加导电,具有两种导电类型。一种是(),另一种是()。
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2.填空题大容量可编程逻辑器件分为()和()。
6.单项选择题人们规定:()电压为安全电压.
A.36伏以下
B.50伏以下
C.24伏以下
7.单项选择题单相3线插座接线有严格规定()
A.“左零”“右火”
B.“左火”“右零”
8.多项选择题按蒸发源加热方法的不同,真空蒸发工艺可分为:()蒸发、()蒸发、离子束蒸发等。
A.电阻加热
B.电子束
C.蒸气原子
9.单项选择题将预先制好的掩膜直接和涂有光致抗蚀剂的晶片表面接触,再用紫外光照射来进行曝光的方法,称为()曝光。
A.接触
B.接近式
C.投影
10.单项选择题光刻工艺是利用感光胶感光后抗腐蚀的特性在半导体晶片表面的掩膜层上的工艺()
A.刻制图形
B.绘制图形
C.制作图形
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值称为共发射极电流放大系数,是晶体管的一个重要参数,也是检验晶体管经过硼、砷掺杂后的两个pn结质量优劣的重要标志。()
题型:判断题
光刻工艺要求掩膜版图形黑白区域之间的反差要低。()
题型:判断题
单晶是原子或离子沿着三个不同的方向按一定的周期有规则的排列,并沿一致的晶体学取向所堆垛起来的远程有序的晶体。()
题型:判断题
离子源是产生离子的装置。()
题型:判断题
门阵列的基本结构形式有两种:一种是晶体管阵列,一种是门阵列()
题型:判断题
场效应晶体管的栅源电压变化可以控制漏电流变化。()
题型:判断题
厚膜元件材料的粉末颗粒越小、表面形状謦复杂,比表面积就越大,则表面自由能也就越高,对烧结越有利。()
题型:判断题
钯.银电阻的烧结分预烧结、烧结、降温冷却三个阶段。()
题型:判断题
位错就是由范性形变造成的,它可以使晶体内的一原子或离子脱离规则的周期排列而位移一段距离,位移区与非位移区交界处必有原子的错位,这样产生线缺陷称为位错。()
题型:判断题
硅MOSFET和硅JFET结构相同。()
题型:判断题