单项选择题光刻工艺是利用感光胶感光后抗腐蚀的特性在半导体晶片表面的掩膜层上的工艺（）
A.刻制图形
B.绘制图形
C.制作图形
您可能感兴趣的试卷
你可能感兴趣的试题
1.单项选择题介质隔离是以绝缘性能良好的电介质作为“隔离墙”来实现电路中各元器件间彼此电绝缘的一种隔离方法。常用的电介质是（）层。
A.多晶硅
B.氮化硅
C.二氧化硅
2.单项选择题二氧化硅在扩散时能对杂质起掩蔽作用进行（）扩散。
A.预
B.再
C.选择
3.单项选择题Ⅰ号液是（）过氧化氢清洗液.
A.碱性
B.酸性
C.中性
4.单项选择题在温度相同的情况下，制备相同厚度的氧化层，分别用干氧，湿氧和水汽氧化，哪个需要的时间最长？（）
A、干氧
B、湿氧
C、水汽氧化
D、不能确定哪个使用的时间长
5.单项选择题恒定表面源扩散的杂质分布在数学上称为什么分布？（）
A.高斯函数
B.余误差函数
C.指数函数
D.线性函数
6.单项选择题从离子源引出的是：（）
A、原子束
B、分子束
C、中子束
D、离子束
7.单项选择题离子注入层的杂质浓度主要取决于离子注入的（）。
A.能量
B.剂量
8.单项选择题离子注入层的深度主要取决于离子注入的（）。
A.能量
B.剂量
9.多项选择题硅外延片的应用包括（）。
A.二极管和三极管
B.电力电子器件
C.大规模集成电路
D.超大规模集成电路
10.多项选择题硅外延生长工艺包括（）。
A.衬底制备
B.原位HCl腐蚀
C.生长温度，生长压力，生长速度
D.尾气的处理
最新试题
片状源扩散具有设备简单，操作方便，晶片缺陷少，均匀性、重复性和表面质量都较好，适于批量生产，应用越来越普遍。（）
题型：判断题
双极晶体管中只有一种载流子（电子或空穴）传输电流。（）
题型：判断题
单晶是原子或离子沿着三个不同的方向按一定的周期有规则的排列，并沿一致的晶体学取向所堆垛起来的远程有序的晶体。（）
题型：判断题
位错就是由范性形变造成的，它可以使晶体内的一原子或离子脱离规则的周期排列而位移一段距离，位移区与非位移区交界处必有原子的错位，这样产生线缺陷称为位错。（）
题型：判断题
迁移率是反映半导体中载流子导电能力的重要参数。掺杂半导体的电导率一方面取决于掺杂的浓度，另一方面取决于迁移率的大小。同样的掺杂浓度，载流子的迁移率越大，材料的电导率就越高。（）
题型：判断题
离子源是产生离子的装置。（）
题型：判断题
钯．银电阻的烧结分预烧结、烧结、降温冷却三个阶段。（）
题型：判断题
点缺陷，如空位、间隙原子、反位缺陷、替位缺陷，和由它们构成的复合体。（）
题型：判断题
可靠性筛选可以剔除早期失效的产品。（）
题型：判断题
硅MOSFET和硅JFET结构相同。（）
题型：判断题