按蒸发源加热方法的不同，真空蒸发工艺可分为：（）蒸发、（）蒸发、离子束蒸发等...

多项选择题按蒸发源加热方法的不同，真空蒸发工艺可分为：（）蒸发、（）蒸发、离子束蒸发等。

A.电阻加热
B.电子束
C.蒸气原子

1.单项选择题将预先制好的掩膜直接和涂有光致抗蚀剂的晶片表面接触，再用紫外光照射来进行曝光的方法，称为（）曝光。

A.接触
B.接近式
C.投影

2.单项选择题光刻工艺是利用感光胶感光后抗腐蚀的特性在半导体晶片表面的掩膜层上的工艺（）

A.刻制图形
B.绘制图形
C.制作图形

3.单项选择题介质隔离是以绝缘性能良好的电介质作为“隔离墙”来实现电路中各元器件间彼此电绝缘的一种隔离方法。常用的电介质是（）层。

A.多晶硅
B.氮化硅
C.二氧化硅

4.单项选择题二氧化硅在扩散时能对杂质起掩蔽作用进行（）扩散。

A.预
B.再
C.选择

5.单项选择题Ⅰ号液是（）过氧化氢清洗液.

A.碱性
B.酸性
C.中性

6.单项选择题在温度相同的情况下，制备相同厚度的氧化层，分别用干氧，湿氧和水汽氧化，哪个需要的时间最长？（）

A、干氧
B、湿氧
C、水汽氧化
D、不能确定哪个使用的时间长

7.单项选择题恒定表面源扩散的杂质分布在数学上称为什么分布？（）

A.高斯函数
B.余误差函数
C.指数函数
D.线性函数

8.单项选择题从离子源引出的是：（）

A、原子束
B、分子束
C、中子束
D、离子束

9.单项选择题离子注入层的杂质浓度主要取决于离子注入的（）。

A.能量
B.剂量

10.单项选择题离子注入层的深度主要取决于离子注入的（）。

A.能量
B.剂量