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迁移率是反映半导体中载流子导电能力的重要参数。掺杂半导体的电导率一方面取决于掺杂的浓度,另一方面取决于迁移率的大小。同样的掺杂浓度,载流子的迁移率越大,材料的电导率就越高。()
题型:判断题
值称为共发射极电流放大系数,是晶体管的一个重要参数,也是检验晶体管经过硼、砷掺杂后的两个pn结质量优劣的重要标志。()
题型:判断题
双极晶体管中只有一种载流子(电子或空穴)传输电流。()
题型:判断题
光致抗蚀剂在曝光前对某些溶剂是可溶的,曝光后硬化成不可溶解的物质,这一类抗蚀剂称为负性光致抗蚀剂,由此组成的光刻胶称为负性胶。()
题型:判断题
低温淀积二氧化硅生长温度低、制作方便,但膜不够致密,耐潮性和抗离子沾污能力较差。()
题型:判断题
设置的非破坏性键合拉力通常为最小键合强度的50%。()
题型:判断题
门阵列的基本结构形式有两种:一种是晶体管阵列,一种是门阵列()
题型:判断题
硅MOSFET和硅JFET结构相同。()
题型:判断题
干法腐蚀清洁、干净、无脱胶现象、图形精度和分辨率高。()
题型:判断题
设备、试剂、气瓶等所有物品不需经严格清洁处理,可直接进入净化区。()
题型:判断题