A、50
B、150
C、50或150
D、50~150
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A、40mm170mm
B、40mm160mm
C、30mm170mm
D、30mm160mm
A、(20±5)℃48h
B、(20±5)℃24h
C、(20±10)℃48h
D、(20±10)℃24h
A、10mm
B、15mm
C、20mm
D、25mm
A、10%~80%
B、20%~80%
C、10%~90%
D、20%~90%
A、±1%
B、±0.5%
C、±1.5%
D、±2%
A、最长裂纹
B、最短裂纹
C、裂纹长度平均值
D、裂纹长度总和
A、大面1mm
B、条面1mm
C、大面0.5mm
D、条面0.5mm
A、大面.1mm
B、条面.1mm
C、大面.0.5mm
D、条面.0.5mm
A、大面.1mm
B、条面.1mm
C、大面.0.5mm
D、条面.0.5mm
A、游标卡尺
B、直尺
C、卷尺
D、砖用卡尺
最新试题
下列哪一个迁移率的测量方法适合于低阻材料少子迁移率测量()
如在半导体的禁带中有一个深杂质能级位于禁带中央,则它对电子的俘获率()空穴的俘获率。
对于同时存在一种施主杂质和一种受主杂质的均匀掺杂的非简并半导体,在温度足够高、ni>>/ND-NA/时,半导体具有()半导体的导电特性。
悬浮区熔的优点不包括()
一块半导体寿命τ=15µs,光照在材料中会产生非平衡载流子,光照突然停止30µs后,其中非平衡载流子将衰减到原来的()。
制约铸造多晶硅材料少子寿命的主要因素不包括()
铸造多晶硅中氢的主要作用包括()
在光线作用下,能使物体产生一定方向的电动势的现象称()
多晶硅的生产方法主要包含:()1)冶金法2)硅烷法3)重掺硅废料提纯法4)西门子改良法5)SiCl4法6)气液沉淀法7)流化床法
对于大注入下的直接复合,非平衡载流子的寿命不再是个常数,它与()。