A、40mm170mm
B、40mm160mm
C、30mm170mm
D、30mm160mm
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A、(20±5)℃48h
B、(20±5)℃24h
C、(20±10)℃48h
D、(20±10)℃24h
A、10mm
B、15mm
C、20mm
D、25mm
A、10%~80%
B、20%~80%
C、10%~90%
D、20%~90%
A、±1%
B、±0.5%
C、±1.5%
D、±2%
A、最长裂纹
B、最短裂纹
C、裂纹长度平均值
D、裂纹长度总和
A、大面1mm
B、条面1mm
C、大面0.5mm
D、条面0.5mm
A、大面.1mm
B、条面.1mm
C、大面.0.5mm
D、条面.0.5mm
A、大面.1mm
B、条面.1mm
C、大面.0.5mm
D、条面.0.5mm
A、游标卡尺
B、直尺
C、卷尺
D、砖用卡尺
最新试题
影响单晶内杂质数量及分布的主要因素是()①原材料中杂质的种类和含量;②杂质的分凝效应;③杂质的蒸发效应;④生长过程中坩埚或系统内杂质的沾污;⑤加入杂质量;
如果杂质既有施主的作用又有受主的作用,则这种杂质称为()。
下列是晶体的是()。
可用作硅片的研磨材料是()
对于同时存在一种施主杂质和一种受主杂质的均匀掺杂的非简并半导体,在温度足够高、ni>>/ND-NA/时,半导体具有()半导体的导电特性。
如在半导体的禁带中有一个深杂质能级位于禁带中央,则它对电子的俘获率()空穴的俘获率。
在光线作用下,能使物体产生一定方向的电动势的现象称()
与半导体相比较,绝缘体的价带电子激发到导带所需的能量()
热处理中氧沉淀的形态不包括()
用能量()禁带宽度的光子照射p-n结会产生光生伏特效应。