A、1%
B、2%
C、0.5%
D、1.5%
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A、1h
B、2h
C、3h
D、4h
A、1
B、2
C、3
D、4
A、3
B、6
C、10
D、20
A、100mm×100mm×100mm
B、50mm×50mm×50mm
C、150mm×150mm×150mm
D、70.7mm×70.7mm×70.7mm
A、烧结普通砖
B、烧结多孔砖
C、蒸压加气混凝土
D、蒸压灰砂砖
A、最大
B、最小
C、平均
D、中间
A、五个碳化后试件的平均抗压强度/五个对比试件的平均抗压强度.0.01
B、五个碳化后试件的平均抗压强度/五个对比试件的平均抗压强度.0.1
C、五个对比试件的平均抗压强度/五个碳化后试件的平均抗压强度.0.01
D、五个对比试件的平均抗压强度/五个碳化后试件的平均抗压强度.0.1
A、五个饱水面干试件的平均抗压强度/五个气干状态的对比试件的平均抗压强度.0.01
B、五个饱水面干试件的平均抗压强度/五个气干状态的对比试件的平均抗压强度.0.1
C、五个气干状态的对比试件的平均抗压强度/五个饱水面干试件的平均抗压强度.0.01
D、五个气干状态的对比试件的平均抗压强度/五个饱水面干试件的平均抗压强度.0.1
A、1mm/m
B、0.1mm/m
C、0.01mm/m
D、0.001mm/m
A、1%
B、2%
C、0.1%
D、0.5%
最新试题
杂质半导体中的载流子输运过程的散射机构中，当温度升高时，电离杂质散射的概率和晶格振动声子的散射概率的变化分别是（）
下列选项中，对从石英到单晶硅的工艺流程是（）
载流子的扩散运动产生扩散电流，漂移运动产生（）电流。
铸造多晶硅中氢的主要作用包括（）
如果杂质既有施主的作用又有受主的作用，则这种杂质称为（）。
可用作硅片的研磨材料是（）
光子传感器是利用某些半导体材料在入射光的照下，产生（）.使材料的电学性质发生变化。通过测量电学性质的变化，可以知道红外辐射的强弱。光子效应所制成的红外探测器。
如在半导体的禁带中有一个深杂质能级位于禁带中央，则它对电子的俘获率（）空穴的俘获率。
多晶硅的生产方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重掺硅废料提纯法4）西门子改良法5）SiCl4法6）气液沉淀法7）流化床法
表面态中性能级位于费米能级以上时，该表面态为（）；