A、砼宜采用硅酸盐和普通硅酸盐水泥
B、矿物掺合料的种类和掺量应经试验确定
C、不得同时掺用两种或两种以上的矿物掺合料
D、宜与高效减水剂同时使用
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A、二氧化硅含量
B、比表面积
C、游离氧化钙含量
D、三氧化硫含量
A、炉渣
B、硅灰
C、磨细石灰石粉
D、粒化高炉矿渣粉
A、石粉含量
B、氯离子含量
C、有害物质含量
D、压碎指标值
A、构件截面最小尺寸
B、水泥品种
C、建筑规模
D、钢筋最小间距
A、针片状颗粒含量
B、颗粒级配
C、含泥量
D、表观密度
A、复合水泥
B、砌筑水泥
C、普通水泥
D、白色水泥
A、安定性
B、胶砂强度
C、细度
D、凝结时间
A、1000
B、2000
C、3000
D、5000
A、抽查3~5%
B、每20套抽查1套
C、每10吨锚具抽1套
D、抽查5~10%
A、夹片式
B、支承式
C、锥塞式
D、握裹式
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一块半导体寿命τ=15µs,光照在材料中会产生非平衡载流子,光照突然停止30µs后,其中非平衡载流子将衰减到原来的()。
硅片抛光在原理上不可分为()
对于同时存在一种施主杂质和一种受主杂质的均匀掺杂的非简并半导体,在温度足够高、ni>>/ND-NA/时,半导体具有()半导体的导电特性。
只涉及到大约一个原子大小范围的晶格缺陷是()。
可用作硅片的研磨材料是()
在通常情况下,GaN呈()型结构。
多晶硅的生产方法主要包含:()1)冶金法2)硅烷法3)重掺硅废料提纯法4)西门子改良法5)SiCl4法6)气液沉淀法7)流化床法
表面态中性能级位于费米能级以上时,该表面态为();
下列选项中,对从石英到单晶硅的工艺流程是()
改良西门子法的显著特点不包括()