A、取中值作为结果
B、取最小值作为结果
C、取最大值作为结果
D、取平均值作为结果
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A、在(23±2)℃下放置不少于24h
B、拉伸速度50mm/min
C、夹具夹持宽度不小于75mm
D、上下夹具间距离为130mm。
A、试件任一端涂盖层不应与胎基发生位移
B、试件下端的涂盖层不应超过胎基
C、试件无流淌、滴落、集中性气泡
D、至少两个试件符合要求可判定为合格
A、GB23441-2009中PYⅠ型
B、GB/T23457-2009中P类卷材
C、18242-2008中G类卷材
D、高分子卷材中FS2类片材
A、断裂拉伸强度精确到0.1N/cm
B、断裂拉伸强度精确到1N/cm
C、扯断伸长率精确到1%
D、扯断伸长率精确到0.1%
A、2倍放大镜
B、4倍放大镜
C、6倍放大镜
D、8倍放大镜
A、拉力指标≥800N/50mm
B、最大拉力时伸长率指标≥40%
C、耐热性指标为70℃,2h无位移、流淌、滴落
D、低温柔性指标为-25℃,无裂纹
A、最大峰拉力
B、不透水性
C、最大峰时延伸率
D、耐热性
A、拉力
B、低温柔性
C、耐热性
D、可溶物含量
A、不透水性
B、拉力
C、低温柔性
D、耐热性
A、蒸压灰砂砖
B、粉煤灰砖
C、炉渣砖
D、碳化砖
最新试题
可用作硅片的研磨材料是()
如果杂质既有施主的作用又有受主的作用,则这种杂质称为()。
只涉及到大约一个原子大小范围的晶格缺陷是()。
一块半导体寿命τ=15µs,光照在材料中会产生非平衡载流子,光照突然停止30µs后,其中非平衡载流子将衰减到原来的()。
硅片抛光在原理上不可分为()
载流子的扩散运动产生扩散电流,漂移运动产生()电流。
下列哪一个迁移率的测量方法适合于低阻材料少子迁移率测量()
属于晶体缺陷中面缺陷的是()
多晶硅的生产方法主要包含:()1)冶金法2)硅烷法3)重掺硅废料提纯法4)西门子改良法5)SiCl4法6)气液沉淀法7)流化床法
下列是晶体的是()。