最新试题
下面哪道工序主要是针对晶圆切割之后在显微镜下进行晶圆r的外观检查,是否有出现废品?()
硅烷法制备高纯硅的步骤不包括哪一项?()
刻蚀过程中聚合物形成的来源有()。
掺杂后退火时间一般在()。
掺杂后,退火的目的是()。
新的平坦化方法有哪几个?()
化学机械抛光液的主要成分不包括的是哪个?()
CE定律发展面临的问题包括()。
影响封装芯片特性的温度有()。
下面哪个选项不是集成电路工艺用化学气体质量的指标?()