在半导体中加入微量的其他元素的原子，可以改变半导体的导电能力和导电类型。
当MOSFET进入饱和区时有效沟道长度随漏源电压的变化而变化，从而漏电流略有增加。
沟道长度减小到一定程度后出现的一系列二级物理效应，如阈值电压的变化。
最新试题
光刻工艺的设备核心是（）。
光刻工艺对准误差包括（）。
当许多损伤区连在一起时就会形成连续的非晶层，开始形成连续非晶层的注入剂量称为（）。
注入损伤与注入离子的以下哪个参数无关？（）
互连工艺中AL的制备可选用（）。
鸟嘴效应造成的不良影响有（）。
消除鸟嘴效应的方法有（）。
厚膜电阻的成分，一是导体颗粒，二是（）。
硅烷法制备高纯硅的步骤不包括哪一项？（）
IC集成度和性能得以不断提高的理论基础是（）。
