光刻工艺的特点包括（）。

常压的硅外延方法有（）。

光刻工艺的设备核心是（）。

厚膜电阻的成分，一是导体颗粒，二是（）。

刻蚀过程中聚合物形成的来源有（）。

多层陶瓷基板多层化的方法包括（）。

IC集成度和性能得以不断提高的理论基础是（）。

光刻工艺对准误差包括（）。

下面哪道工序主要是针对晶圆切割之后在显微镜下进行晶圆r的外观检查，是否有出现废品？（）

CE定律发展面临的问题包括（）。