化学机械抛光液的主要成分不包括的是哪个？（）

光刻工艺的设备核心是（）。

互连工艺中AL的制备可选用（）。

湿氧氧化采用的氧化水温是（）。

刻蚀过程中聚合物形成的来源有（）。

当许多损伤区连在一起时就会形成连续的非晶层，开始形成连续非晶层的注入剂量称为（）。

如下哪个选项不是半导体器件制备过程中的主要污染物？（）

影响封装芯片特性的温度有（）。

常压的硅外延方法有（）。

进行光刻工艺前的清洗步骤是（）。